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공지사항

[보도자료] (주)나노스토리지, 나노특화팹에 7천만원 출연

  • 등록일 2005.12.16
  • 조회수 5352
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나노소자(화합물반도체 포함) 분야의 국가연구개발지원기관인 나노소자특화팹센터(대표이사 이중원, http://www.kanc.re.kr)는 PRAM 기록 측정 장비업체인 (주)나노스토리지(대표이사 김수경, http://www.nanostorage.co.kr)와 나노소자특화팹시설구축사업 참여를 위한 협약을 체결했다고 12월 16일(금) 수원 나노소자특화팹센터에서 발표했다.
나노소자특화팹센터 이중원 대표이사와 나노스토리지 김수경 대표이사는 나노재료의 막질 특성평가 및 PRAM 기록 측정 기술의 개발 등을 위한 기관 간 협력방안을 논의하고 나노소자특화팹센터 연구시설의 공동이용에 관한 의견을 교환하였다.
이번에 체결된 약정은 나노스토리지가 나노소자특화팹시설구축사업에 약 7천만원 상당의 PRAM Static Tester/상변화 메모리 기록기를 출연하고 나노소자특화팹센터가 보유한 청정실, 공정‧특성평가 장비 및 시설 등의 이용을 통해 상호 유기적인 협력개발체제를 구축하는 등 구체적인 내용을 포함하고 있다.
또한 나노기술 분야에서 양 기관 간 공동으로 반도체 관련 학술 및 기술정보의 원활한 교류를 통하여 나노기술 관련 공동기술 개발과제 발굴 및 상호발전을 위한 긴밀한 협력체제를 확립해 나가기로 하였다.
이번 약정체결을 통해 나노소자특화팹센터는 나노스토리지의 PRAM 기록 측정 기술 개발의 노하우를 이용하여 측정/분석기술에 관한 정보 및 연구의 공동협력으로 센터의 전문적인 나노기술 기초연구 지원을 위한 서비스를 제공할 수 있게 됐다.

※ PRAM 이란? - Phase-change RAM으로 기존 실리콘 대신 비휘발성 상(相)변화물질을 이용한 비휘발성 반도체이다. P램이란 물질의 상(Phase, 相) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 메모리 반도체로, 상이 비정질 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트의 데이터를 저장할 수 있다. 이는 기존 반도체의 데이터 저장방식이 하나의 셀 내부의 저장 공간에 `0' 또는 `1'의 데이터를 저장하는 것과 달리, 셀에 전류를 흘릴 때 저항이 높은 비정질이 저항이 낮은 결정질로 변하는 데서 착안된 것이다. 이 때 비정질은 `1', 결정질은 `0'으로 기억된다.
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(주)나노스토리지는 2003년 5월에 창립한 벤처기업으로서 회사명에서 나타난 바와 같이 나노기술과 정보기술이 융합된 첨단 NIT(Nano-Information Technology) 전문 업체로서 초정밀 광학기기와 고밀도 저장장치 기반의 첨단 기술에 관련된 응용 제품을 개발하고 있다. 현재 IT, NT, BT분야에서 국제경쟁력을 가진 글로벌 기업으로서 특화된 기술개발을 위해 R&D에 집중적인 역량을 쏟고 있으며, 창의력과 도전정신으로 국내 최초 또한 세계 최초의 새로운 기술과 제품 개발로 부가가치를 창출하여 국가에 이바지하고 기술 인력과 사회에 이익을 환원하는 기업으로 성장해 나갈 계획이다.

재단법인 나노소자특화팹센터(KANC, Korea Advanced Nano Fab Center, 대표이사 이중원, www.kanc.re.kr)는 2003년에 설립되어 과학기술부가 시행하는 국가핵심연구기반구축사업의 일환으로 나노소자 기술분야에서 원천기술의 연구개발 및 조기산업화를 지원할 수 있는 장비와 시설의 구축을 추진중에 있으며 국내 산업계‧학계‧연구계의 공동 활용이 가능한 화합물반도체 중심 비실리콘계 나노소자특화팹센터를 구축하여 이용자 중심으로 최상의 서비스를 제공하는 세계수준의 국가핵심 인프라로 발전시켜 나갈 계획이다.