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종합분석기술 XPS를 이용한 표면분석 기술 ㆍ 재료 표면의 정성, 정량 분석ㆍ 재료 표면의 화학적 결합상태 분석ㆍ Depth profiling(Gas Cluster Ion Beam and Monoatomic) 분석ㆍ AR-XPS (Angle Resolved-XPS) 분석ㆍ Work function measurement
종합분석기술 Dual beam FIB를 이용한 분석 기술 ㆍ A/R (≥45:1)의 패턴의 Cross section TEM 시편제작ㆍ 박막의 깊이 위치별 Plan view TEM 시편제작ㆍ 단일 박막의 경우 Sub와 Top위치의 Plan view TEM 시편제작 가능ㆍ Low kV에서 Final milling을 실시하여 Ion damage free TEM 시편제작 가능ㆍ EBSD 장비를 이용한 결정질 재료의 결정립의 결정방위, 미세집합조직분석, 정량적인 결정구조 분석 (3D 가능)
종합분석기술 Mechanical polishing 및 ion milling을 이용한 TEM 샘플 제작 기술 ㆍ A/R (>10:1)의 홀패턴의 Cross section TEM시편 제작ㆍ Polymer 보호층을 이용하여 샘플의 Damage를 최소화ㆍ FIB보다 넓은 영역의 시편 구현 가능ㆍ 위치의 선택성이 있는 TEM 샘플 제작
종합분석기술 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용한 표면 특성 분석 ㆍ 분해능: <0.15 nm (<0.02 nm in low voltage Topography mode)ㆍ 100 μm × 100 μm 범위 이내의 AFM 분석ㆍ Topograpy 외 특수모드를 이용한 분석 ( I-AFM, MFM, EFM, LFM, FMM 등)
종합분석기술 고출력 전자소자의 DC 특성 측정 기술 ㆍ 전기자동차 및 통신용 중계기 등에 사용되고 있는 고출력 전자소자는 GaN계를 기반으로 하여 활발히 연구되고 있다.ㆍ GaN 계의 전자소자는 높은 에너지 밴드 갭과 강한 화학적 결합 특성 등으로 인하여 고온에서의 안정적인 동작 특성과 높은 내압특성을 갖고 있어, 높은 전류와 전압에서의 측정이 요구된다.