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기술소개

박막기술

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박막기술 SiO2 gap-fill 공정 기술 ㆍ HDP-CVD 장비의 성능을 최대로 활용한 SiO2 gap-fill 공정조건 확보
ㆍ 500nm 이하 선폭을 가지는 패턴(Line or hole)에 대하여 void-free한 gap-fill 공정조건 확보
박막기술 전해도금 방식을 이용한 이황화몰리브덴 합성 기술 ㆍ 그래핀과 같은 원자 두께의 2차원 결정 물질들은 우수한 특성 덕분에 많은 주목을 받고 있음
ㆍ 최근에는 우수한 전기적, 광학적 특성을 지닌 이황화 몰리브덴(MoS2, molybdenum disulfide)이 발견됨
ㆍ 2차원 이황화 몰리브덴 박막은 직접 천이 밴드갭을 가진 물질로써, 광전자 소자 영역에서의 무한한 잠재력을 바탕으로 새롭게 주목을 받고 있음.
ㆍ 따라서 기존의 박리 방식이 아닌 고품질, 대면적의 이황화 몰리브덴을 합성하는 기술이 요구됨.
박막기술 ITO 투명전극 패턴 공정 기술 ㆍ 기존 evaporation 장비 사용 시 증착 후 추가 열처리 공정 필요 (550도~600도 수준)
ㆍ glass, flexible 기판에서는 열처리 공정 불가(기판 손상 등의 문제점 존재)
ㆍ Wsputtering을 통한 ITO Lift off 공정 개발 필요
박막기술 a-Si & SiON 박막형성 기술 ㆍ a-Si film은 에너지 분야에 활용되어 새롭게 쓰이고 있는 물질로 최신 연구에 맞추어 공정 개발
ㆍ SION film은 기존 SiO2/SiNx film의 정착된 굴절률에서 벗어나 새롭게 film 조성에 따른 굴절률을 변화시킬수 있어 새로운 투명막 소재로 연구 개발 및 상용화 되고 있음.
박막기술 III-V 화합물 태양광전지 Grid 전극 제작 기술 ㆍ Gird Pitch가 줄어들면 Rs 값이 작아 짐 → Grid Electrode 수 증가 → Shadow에 의한 전력 Losses 증가로 인해 최적화 된 Grid 전극 설계 및 제작이 중요.
ㆍ III-V 화합물 태양광전지의 Grid 전극은 저 저항, Height가 큰 Metal이어야 함.
ㆍ 사다리꼴 모양의 Grid 전극이 유리함.
ㆍ Seed Metal Etch 시 Cap Layer 손상이 되며(Galvanic) 이를 방지하는 방법 필요.

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