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신규장비 I-line Stepper II(양자팹) 안내

  • 등록일 2023.01.19
  • 조회수 8045
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신규장비 I-line StepperⅡ(양자팹) 안내
[한국나노기술원 융합공정기술본부]

 

 

한국나노기술원에 도입된 I-line StepperⅡ(양자팹) 노광장비를 소개합니다.
4인치 Flat type Wafer 기반 공정서비스 이며, 2inch ,3inch Wafer는 협의가 필요합니다.
Resolution : 0.45㎛(L/S) 최소 선폭이며 , Field size(Max) : 20mm X 20mm입니다.
기존 I-line Stepper 6inch 장비와 Reticle 호환이 가능하며 4,6inch wafer 모두 같은 Reticle를 사용하여 공정이 가능합니다.
본 시스템은 1월부터 서비스를 진행하고 있습니다. 많은 활용 부탁드립니다.
감사합니다.


※ 장비안내 : https://www.kanc.re.kr/gnb03/snb02.do?mode=view&equip_srno=242

 

 

 

 

Lithography 장비아이디 FQ-ST10장비명 I-line Stepper II(양자팹)Model NSR-2005i10CMaker NIKON(일본)담당자 장민철연락처 031-546-6224 E-Mail minchul.jang@kanc.re.kr 상 태 ● (가동중) 적용가능한 기판 정보 O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능) 기판 종류 기판 Size 기판 Type 기판 두께 Si III-V Glass Flex 조각 2 4 6 8 12 플랫 노치 Normal Special O O O △ X △ O X X X O X O X 장비사양(Hardware Specification) 주요 성능 및 특징 ㆍ Light source : UV Lamp(1750W) ㆍ Reduction Exposure(5x) ㆍ Resolution : 0.45㎛(L/S) ㆍ Wafer size : 4inch (2inch , 3inch 협의필요) ㆍ Field size : 20mm X 20mm 공정성능(Process Specification) ㆍ L/S Resolution wafer uniformity [AZ MIR-701 Photoresist(11cP)] - 400nm line : AVG: 399.4 , uniformity : 2.79% - 500nm line : AVG: 500 , uniformity : 0.0% -280msec -F:-1um -Dev:40sec 400nmLine(T) 400nmLine(C) 400nmLine(B) 400nmLine(L) 400nmLine(R) 500nmLine(T) 500nmLine(C) 500nmLine(B) 500nmLine(L) 500nmLine(R) ㆍ L/S Resolution wafer to wafer [AZ MIR-701 Photoresist(11cP)] - 400nm line : AVG: 399.4 , uniformity : 1.19% - 500nm line : AVG: 499.8 , uniformity : 0.25% -280msec -F:-1um -Dev:40sec 400nmLine(T) 400nmLine(C) 400nmLine(B) 400nmLine(L) 400nmLine(R) 500nmLine(T) 500nmLine(C) 500nmLine(B) 500nmLine(L) 500nmLine(R) 활용분야(Application) ㆍ Lithography - Si , Glass , Quartz , GaAs , GaN , 사파이어 , 기타 등 기판 패터닝 - 초전도, 점 결함, 반도체, 광소자 등 다양한 큐비트 플랫폼에서 양자 현상을 발현할 수 있는 다양한 고집적 양자소자를 제작.

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