장비안내
Si BEOL & GaN MPW
- 장비아이디 FS-AL20
- 장비명 ALD-Insulators
- Model Lucida M300PL-O
- Maker NCD
- 담당자 김대영, 박경호
- 연락처 031-546-6249
- E-Mail daeyoung.kim@kanc.re.kr
- 상 태 ● (가동중)
적용가능한 기판 정보
O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)
| 기판 종류 | 기판 Size | 기판 Type | 기판 두께 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si | III-V | Glass | Flex | 조각 | 2" | 4" | 6" | 8" | 12" | 플랫 | 노치 | Normal | Special |
| O | O | △ | △ | △ | △ | △ | O | O | O | O | △ | O | △ |
장비사양(Hardware Specification)
ㆍ Wafer size :
- 12 inch (single wafer)
- piece,2,4,6,8 inch (Zig)
ㆍ Temperature: R.T ∼ 500℃
ㆍ Process mode: Thermal ALD, Plasma Enhanced ALD
ㆍ RF plasma kits
- Frequency: 13.56 MHz
- Max Power: 1000 W
- Function: Pulsed Mode
공정성능(Process Specification)
ㆍ ALD Process
- Al2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5
ㆍ GPC(Growth Per Cycle)
- 0.6 ~ 1.2 Å/cycle
ㆍ Thickness Uniformity
- WIW & WtW : ≤ 3% @ 1-sigma
ㆍ Step coverage : ≥90%
활용분야(Application)
ㆍ 시스템반도체 및 GaN 기반 소자의 절연막 / 보호막 형성
