장비안내
Si BEOL & GaN MPW
- 장비아이디 FS-FI10
- 장비명 FIB Ⅲ(8 inch Wafer High Resolution Focused Ion Beam)
- Model Helios 5 UX
- Maker Thermofisher
- 담당자 곽상희
- 연락처 031-546-6050
- E-Mail sanghee.kwak@kanc.re.kr
- 상 태 ● (가동중)
적용가능한 기판 정보
O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)
| 기판 종류 | 기판 Size | 기판 Type | 기판 두께 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si | III-V | Glass | Flex | 조각 | 2" | 4" | 6" | 8" | 12" | 플랫 | 노치 | Normal | Special |
| O | O | O | O | O | O | O | O | O | X | O | O | O | X |
장비사양(Hardware Specification)
ㆍ Wafer size : ~ 8 inch
ㆍ 가속전압 범위 : 20eV ~ 30keV(Electron) 500eV ~ 30keV(Ion)
ㆍ Beam 전류 범위 : 0.8pA ~ 100nA(Electron) 0.1pA ~ 65nA(Ion)
ㆍ EDS Detector : SDD Type, 40 mm2
ㆍ GIS : Pt dep, Carbon dep, SiO2 dep, Insulator etch
공정성능(Process Specification)
ㆍ Image Resolution - Electron-beam : 0.7 nm @ 15 keV 1.4 nm @ 1 keV - Ion-beam : 3 nm @ 30 keV
ㆍ Automated TEM sample preparation
ㆍ Automated serial sectioning and imaging
활용분야(Application)
ㆍ 박막의 단면 구조 및 성분 분석
ㆍ 반도체 소자 및 재료의 불량 분석
ㆍ 반도체 회로의 배선 수정
ㆍ TEM 분석을 위한 고정밀 시편 제작
ㆍ STEM, EBSD 분석
