장비안내
Si BEOL & GaN MPW
- 장비아이디 FS-IE20
- 장비명 Insulator/Si Etcher (절연막/실리콘 식각 장비)
- Model eMax, DPS
- Maker AMAT
- 담당자 박성민
- 연락처 031-546-6232
- E-Mail sungmin.park@kanc.re.kr
- 상 태 ● (가동중)
적용가능한 기판 정보
O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)
| 기판 종류 | 기판 Size | 기판 Type | 기판 두께 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si | III-V | Glass | Flex | 조각 | 2" | 4" | 6" | 8" | 12" | 플랫 | 노치 | Normal | Special |
| O | X | X | X | X | X | X | X | O | X | X | O | O | X |
장비사양(Hardware Specification)
ㆍ Platform Type : Etch Centura I
ㆍ Chamber 구성
- Process Chamber I : SiO2 Etch Chamber (eMax Chamber)
- Process Chamber II: SiNx Etch Chamber (eMax Chamber)
- Process Chamber III: ACL Etch Chamber (eMax Chamber)
- Process Chamber IV: Si Etch Chamber (DPS+Poly Chamber)
- Process Chamber V: Ashing Chamber (ASP+ Chamber)
- Process Chamber VI: (OA) Orienter
- Process Chamber VII: (OA) Orienter
- Process Chamber VIII: Cool Down
공정성능(Process Specification)
ㆍ eMax Process Chamber
- Oxide Etch Rate : > 3800Å/min
- Uniformity : < 3.5%
- Selectivity : > 6 (SiNx)
ㆍ DPS+ Poly Process Chamber
- Silicon Etch Rate : 1800Å/min
- Uniformity : < 3%
ㆍ ASP+ Process Chamber
- Temperature : 250 ℃
- Strip Rate : > 2um/min
- SR uniformity : < 15% (M/m)
활용분야(Application)
ㆍ BEOL Insulator Via 공정
ㆍ Poly Si Gate recess 공정
ㆍ Nano Patterning 공정
ㆍ Insulator (SiO2, TEOS, USG, FSG, SiNx, ACL) 식각 공정
ㆍ Si 식각 공정
