장비안내
Si BEOL & GaN MPW
- 장비아이디 FS-WP10
- 장비명 W/Plasma CVD
- Model Centura5200
- Maker AMAT
- 담당자 이병오
- 연락처 031-546-6337
- E-Mail byungou.lee@kanc.re.kr
- 상 태 ● (가동중)
적용가능한 기판 정보
O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)
| 기판 종류 | 기판 Size | 기판 Type | 기판 두께 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si | III-V | Glass | Flex | 조각 | 2" | 4" | 6" | 8" | 12" | 플랫 | 노치 | Normal | Special |
| O | X | X | X | X | X | X | X | O | X | X | O | O | X |
장비사양(Hardware Specification)
ㆍ Wafer size : 8inch Notch Wafer @ SEMI Standard
ㆍ Multi Slot Cool Down Chamber : 8 slot, N2
ㆍ W Gap Fill : Aspect ratio 3 (@ 200nm hole)
ㆍ Dual RF Generator : SiNx / SiON / TEOS(-FSG)
ㆍ Process Temperature
- 410℃ : W
- 400℃ : SiNx, SiON, TEOS(-FSG)
- 550℃ : ACL
공정성능(Process Specification)
ㆍ W Gap Fill : Aspect ratio 3 (@ 200nm hole)
ㆍ Uniformity
- SiNx : 0.93%
- TEOS : 2.88%
- ACL : 1.86%
- W : 2.69%
활용분야(Application)
ㆍ Si BEOL공정 등
