장비안내
Si BEOL & GaN MPW
- 장비아이디 FS-CM10
- 장비명 W/Oxide CMP(복합 이종 박막 화학적 기계적 연마장비)
- Model F-REX200
- Maker EBARA
- 담당자 김효상
- 연락처 031-546-6441
- E-Mail hyosang.kim@kanc.re.kr
- 상 태 ● (가동중)
적용가능한 기판 정보
O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)
| 기판 종류 | 기판 Size | 기판 Type | 기판 두께 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si | III-V | Glass | Flex | 조각 | 2" | 4" | 6" | 8" | 12" | 플랫 | 노치 | Normal | Special |
| O | X | X | X | X | X | X | X | O | X | O | O | O | △ |
장비사양(Hardware Specification)
ㆍ Wafer size
- 8inch Notch Wafer @ SEMI Standard
ㆍ 독립된 2 chamber system
- 2 Polisher unit, 2 Cleaner unit
- 2 step cleaning (Roll & Pencil)
ㆍ Process : TEOS, W
ㆍ Head Speed : 75rpm
ㆍ Post Cleaner : Dilute NH3
ㆍ Slurry : Silica
ㆍ Pad : IC1000
공정성능(Process Specification)
ㆍ Removal Rate
- ≥ 3400 Å/min @ TEOS
- ≥ 3400 Å/min @ W
ㆍ non-uniformity : 3%(Oxide) / 3%(Tungsten) 이하
ㆍ Wafer to wafer non-uniformity : 3% 이하
활용분야(Application)
ㆍ Silicon oxide 평탄화 공정
ㆍ W plug의 평탄화 공정
