소자기술
기술명 | AlGaN/GaN 기반 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 소자 제조 기술 | ||
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요약 | ㆍ AlGaN/GaN HEMT 는 wide bandgap 인 AlGaN, GaN 층을 이종 접합하여 그 사이에 자연적으로 발생하는 2-DEG를 채널층으로 하는 트랜지스터 소자임 | ||
결과 | |||
사진 | < GaN 기반 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 소개 >
< 소자 특성 >
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기술적가치 | |||
활동분야 | ㆍ 600 V 급 전력 스위치 ㆍ S/X-band RF 전력 증폭기 ㆍ 고감도 센서 |
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기술관련문의 | ㆍ 전자소자개발실 고유민 선임 (031-546-6317, yumin.koh@kanc.re.kr) |