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에피기술

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AlGaN/GaN 기반 HEMT 센서 플랫폼 기술 (KANCSensGaNTM) ㆍ AlGaN/GaN HEMT는 기반 물질인 GaN의 우수한 고온 내구성과 화학적 안정성 때문에 극한환경용 센서로 적합함. 또한 전자농도가 높은 2-DEG로 인해 우수한 감도 특성을 가짐.
AlGaN/GaN HEMT (high electron mobility transistor) 기반 센서 에피 플랫폼 기술 ㆍGaN 물질은 3.4 eV의 에너지 밴드갭 및 상온에서 1010 cm-3의 고유 캐리어 농도를 가지므로 실리콘 및 산화물반도체 대비 600 ℃ 이상의 고온, 고압, 전자파 환경에서도 안정적 소자의 동작이 가능하고 고도의 내구성을 지니며, 격자에너지가 크고 화학적으로 안정한 구조를 가지므로, 다른 반도체 물질들에 비해 강산 및 염기, 고습 환경에서 뛰어난 화학적 안정성을 가짐.

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