박막기술
| 기술명 | III-V 화합물 태양광전지 Grid 전극 제작 기술 | ||
|---|---|---|---|
| 요약 | ㆍ Gird Pitch가 줄어들면 Rs 값이 작아 짐 → Grid Electrode 수 증가 → Shadow에 의한 전력 Losses 증가로 인해 최적화 된 Grid 전극 설계 및 제작이 중요. ㆍ III-V 화합물 태양광전지의 Grid 전극은 저 저항, Height가 큰 Metal이어야 함. ㆍ 사다리꼴 모양의 Grid 전극이 유리함. ㆍ Seed Metal Etch 시 Cap Layer 손상이 되며(Galvanic) 이를 방지하는 방법 필요. |
||
| 결과 | ㆍ Galvanic 현상에 의한 각 Layer의 손상 없는 사다리꼴 모양의 Au Grid 전극 제조 개발 - Bottom CD : 6.36㎛, Top CD : 6.21㎛, Thickness : 5.78㎛ (Thickness 협의 가능) - Window Layer 위 Passivation 및 빛 투과 층 증착. - Seed Metal Etch 후 반사방지막 증착. - 각 Layer Damage 최소화 공정 가능. |
||
| 사진 |
|
||
| 기술적가치 | ㆍ 화합물 태양광전지의 효율향상 기대 ㆍ Galvanic 현상에 의한 Damage 최소화 |
||
| 활동분야 | ㆍ 화합물 태양광 전지 | ||
| 기술관련문의 | ㆍ 시스템반도체공정개발실 이동근 선임 (031-546-6322, dongkeun.lee@kanc.re.kr) | ||
