박막기술
| 기술명 | SiO2 gap-fill 공정 기술 | ||
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| 요약 | ㆍ HDP-CVD 장비의 성능을 최대로 활용한 SiO2 gap-fill 공정조건 확보 ㆍ 500nm 이하 선폭을 가지는 패턴(Line or hole)에 대하여 void-free한 gap-fill 공정조건 확보 |
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| 결과 | ㆍ Void-free한 SiO2 gap-fill 공정조건 확보 | ||
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| 기술적가치 | ㆍ 반도체 cell과 cell 사이의 절연막 형성가능 | ||
| 활동분야 | ㆍ 각종 반도체 응용분야 | ||
| 기술관련문의 | ㆍ 공정서비스지원실 이병오 선임 (031-546-6337, byungou.lee@kanc.re.kr) | ||
