식각기술
| 기술명 | Nano pattern 고선택성 Si 식각공정 기술 | ||
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| 요약 | ㆍ 1um 이하 선폭에 대한 Si etch selectivity 개선을 통해 high aspect ratio etch조건 확보 ㆍ 현 수준 1. Etch rate : 800~1200Å/min 2. Selectivity : 1~1.3 : 1 3. Sidewall slope : ~90도 ※ Selectivity가 낮아 etch depth의 제약이 있음 |
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| 결과 | ㆍ Si etch selectivity 향상 ㆍ 개선 후 1. Etch rate : ~1000Å/min 2. Selectivity : 2~2.3 : 1 3. Sidewall slope : ~90도 |
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| 사진 |
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| 기술적가치 | ㆍ 기술원 보유 기존 Si etch 조건대비 2배 이상의 depth로 etch 가능 | ||
| 활동분야 | ㆍ 각종 반도체 응용분야 | ||
| 기술관련문의 | ㆍ 공정서비스지원실 윤홍민 책임 (031-546-6335, hongmin.yoon@kanc.re.kr) | ||
