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장비안내

장비현황상세정보

Lithography

  • 장비아이디 FQ-ST10
  • 장비명 I-line Stepper II(양자팹)
  • Model NSR-2005i10C
  • Maker NIKON(일본)
  • 담당자 김창환
  • 연락처 031-546-6336
  • E-Mail changhwan.kim@kanc.re.kr
  • 상 태 (가동중)

적용가능한 기판 정보

O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)

기판 종류 기판 Size 기판 Type 기판 두께
Si III-V Glass Flex 조각 2" 4" 6" 8" 12" 플랫 노치 Normal Special
O O O X O X X X O X O 1T

장비사양(Hardware Specification)

주요 성능 및 특징

ㆍ Light source : UV Lamp(1750W)

ㆍ Reduction Exposure(5x)

ㆍ Resolution : 0.45㎛(L/S)

ㆍ Wafer size : 4inch (2inch , 3inch 협의필요)

ㆍ Field size : 20mm X 20mm

공정성능(Process Specification)

ㆍ L/S Resolution wafer uniformity [AZ MIR-701 Photoresist(11cP)]
  - 400nm line : AVG: 399.4 , uniformity : 2.79%
  - 500nm line : AVG: 500 , uniformity : 0.0%

-280msec -F:-1um -Dev:40sec 400nmLine(T) 400nmLine(C) 400nmLine(B) 400nmLine(L) 400nmLine(R) 500nmLine(T) 500nmLine(C) 500nmLine(B) 500nmLine(L) 500nmLine(R)

 

ㆍ L/S Resolution wafer to wafer [AZ MIR-701 Photoresist(11cP)]
  - 400nm line : AVG: 399.4 , uniformity : 1.19%
  - 500nm line : AVG: 499.8 , uniformity : 0.25%

-280msec -F:-1um -Dev:40sec 400nmLine(T) 400nmLine(C) 400nmLine(B) 400nmLine(L) 400nmLine(R) 500nmLine(T) 500nmLine(C) 500nmLine(B) 500nmLine(L) 500nmLine(R)

 

활용분야(Application)

ㆍ Lithography
  - Si , Glass , Quartz , GaAs , GaN , 사파이어 , 기타 등 기판 패터닝
  - 초전도, 점 결함, 반도체, 광소자 등 다양한 큐비트 플랫폼에서 양자 현상을 발현할 수 있는 다양한 고집적 양자소자를 제작.