장비안내
Si BEOL & GaN MPW
- 장비아이디 FS-XD11
- 장비명 XRF(X선형광분석기)
- Model iEDX-150uT
- Maker ISP
- 담당자 김중헌
- 연락처 031-546-6449
- E-Mail joongheon.kim@kanc.re.kr
- 상 태 ● (가동중)
장비사양(Hardware Specification)
ㆍ XRF
- Xray : Mo Target with Capillary Optics@7.5um FWHM
- Xray Focal Spot : 65~90um
- Multi layer Film 두께 측정 가능
- 6inch & 8inch wafer auto loading 가능
- Wafer내 측정 point 설정 가능(1/5/9points 등)
공정성능(Process Specification)
ㆍ XRF
- 금속 박막 두께 측정
- 반복도 ± 5%이내
- 정확도 ± 6%이내
활용분야(Application)
ㆍ XRF
- X선 형광 분석기는 시료의 표면에 X선을 조사하여 방출되는 형광 X선을 검출한 후 검출된 형광 X선의 세기를 기준값과 비교하여 시료의 표면에 형성된 막의 두께를 산출함. 비파괴 방식으로 빠르게 두께 측정 가능
- Si 기판 위 금속 박막 두께 측정
: 측정 가능 Film 및 측정 범위
| 측정 Film | 두께 측정 범위 | Film Stack 구조 |
|---|---|---|
| Sputter Cu | 30~500nm | Cu/Si |
| Sputter Ti | 10~500nm | Ti/Si |
| CVD W | 30~500nm | W/TiN/Si |
| Sputter Al | 200~1000nm | Al/Si |
| Sputter TiN | 30~100nm | TiN/Si |
| Cu ECP | 500~5000nm | Cu ECP/Cu Seed/Ta/TaN/Si |
| Sputter Au | 100~500nm | Au/Si |
| Sputter Cr | 100~500nm | Cr/Si |
| Evapor, Al | 100~500nm | Al/Si |
| Sputter Ta | 10~50nm | Ta/Si |
| Sputter TaN | 10~50nm | TaN/Si |
| CVD TiN | 10~50nm | CVD TiN/Si |
관련 자료
XRF
ㆍ 측정 원리
- X선을 시료에 조사하면 시료내의 원자들이 고유의 X선을 발생시키는데 이것을 형광X선이라고 함.
- 방출되는 X선을 검출기를 이용하여 검출하면 어떤 원소가 얼마만큼 들어있는지 알 수 있음.
- 방출된 X선 에너지의 양은 해당 물질의 두께에 비례함.
- 기존 두께를 알고 있는 측정 Sample과 비교하여 두께에 비례하는 X선 에너지량을 이용하여 해당 물질의 두께 측정함
