Si BEOL & GaN MPW

적용가능한 기판 정보

O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)

장비사양(Hardware Specification)

ㆍ Field of View : SEM image 0.7 to 135um square (1,000x to 200,000x)

ㆍ Optical microscope image  0.6mm square(220x), 0.3mm square(440x)

ㆍ Review Throughput : 3.0s/defect or less

ㆍ Specimen Stage : X, Y 0 to 300mm

ㆍ Wafer Loader : 8 inch Open Cassette

ㆍ Electron gun : Schottky emission type

ㆍ Accelerating voltage : 500 to 1,300V variable in increments of 100V, 3kV, 4kV, 5kV, 10kV, 15kV

ㆍ Scanning Modes : S-FAST, FAST, TV, SLOW scan 

공정성능(Process Specification)

ㆍ Automatic Defect Review
  - Minimum detectable defect size : 0.035 ㎛ 
  - Detection rate : 90% or more

ㆍ Automatic Defect Classification
  - Correct classification rate : 85% or more 
  - Maximum number of categories : 50 categories/recipe

활용분야(Application)

ㆍ 시스템 반도체 공정 중 반도체 웨이퍼 오염입자 측정 및 공정수율 관리를 위한 핵심 검사장비로
  불량 분석, 성분 분석 및 조성 분석에 활용한다.

ㆍ 반도체 제조 공정의 결함 검사, 분류, 분석결함의 성분 분석(EDS – Energy Dispersive Spectroscopy)

측정 방법

ㆍ ADR(Automatic Defect Review)
  - Wafer Inspection 장비를 통해 감지된 결함/입자 모양을 관찰, 분류, 분석한다.

ㆍ ADC(Automatic Defect Classification)
  - Image Server에 Image 정보규칙에 의해 Defect 정보에 따라 자동으로 분류한다.

측정 용도

ㆍ 효율적인 Defect 관리를 통해 발생 Mechanism이나 발생공정을 명확히 규명하여 동일 Defect 발생 원인을 제거한다.

관련 자료

ㆍ Utilities
  - Power supply : 200/208/230V AC @ 단상 (60Hz)
  - Nitrogen : 400 ~ 880 kPa [gauge pressure]
  - Dry air : 600 ~ 880 kPa [gauge pressure]
  - Vacuum : 1.3 ~40 kPa [absolute pressure]

ㆍ Environmental Conditions
  - Magnetic Field : AC Power, synchronous frequency components: 0.3 uT max.
          DC magnetic field fluctuations: 0.1 uT max.
  - Vibrations : Frequency: 1Hz ~ 10Hz
  - Noise : 75 dB max.
  - Humidity : 60% max.

ㆍ Precautions Regarding the Laser Light