장비안내
Si BEOL & GaN MPW
- 장비아이디 FS-FR10
- 장비명 Furnace II (저온열처리로)
- Model PF-V81
- Maker P&TECH
- 담당자 김현웅
- 연락처 031-546-6340
- E-Mail hyunwoong.kim@kanc.re.kr
- 상 태 ● (가동중)
적용가능한 기판 정보
O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)
| 기판 종류 | 기판 Size | 기판 Type | 기판 두께 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si | III-V | Glass | Flex | 조각 | 2" | 4" | 6" | 8" | 12" | 플랫 | 노치 | Normal | Special |
| O | X | X | X | X | X | X | O | O | X | O | O | O | X |
장비사양(Hardware Specification)
ㆍ Maximum Temperature : 600℃ 이상
ㆍ Temperature Flat Zone : 500mm
ㆍ Heating Control Zone : 3 Zone
ㆍ Max Ramp up rate : 5 ℃ ~ 15 ℃ /Min
ㆍ Heater Coil Material : Kanthal A-1
ㆍ Heater Cooling System : Water Cooling
ㆍ Excess Temp Protection : Over Temp Interlock 설치
ㆍ Temp Control Method : PID control
공정성능(Process Specification)
ㆍ Temp Accuracy : 300 ℃ ~ 500 ℃ (<±3.0℃, In flat Zone)
ㆍ Process Gas : N2, H2, O2
활용분야(Application)
Wafer 표면에 온도를 이용하여 확산시켜 오믹 접촉 합금 (Ohmic contact alloying), 이온주입손상 어닐링 (Ion-implantation damage annealing), 불순물 활성화 (Dopant activation), BPSG Reflow, 잔존 이온 제거, Silicide 화, 비정질 박막 결정화, 접촉 저항 감소, 결함 안정화 등의 열처리를 요구하는 공정에 사용됨.
