장비안내
Si BEOL & GaN MPW
- 장비아이디 FE-MC80
- 장비명 MOCVD VIII (N)
- Model K465i
- Maker Veeco
- 담당자 조주영
- 연락처 031-546-6326
- E-Mail chuyoung.cho@kanc.re.kr
- 상 태 ● (가동중)
적용가능한 기판 정보
O (가능) / △ (협의필요) / X (불가능)
| 기판 종류 | 기판 Size | 기판 Type | 기판 두께 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Si | III-V | Glass | Flex | 조각 | 2" | 4" | 6" | 8" | 12" | 플랫 | 노치 | Normal | Special |
| O | O | X | X | X | O | O | O | O | X | O | O | O | △ |
장비사양(Hardware Specification)
ㆍ Heater : Resistive type
ㆍ Max. Temp. : ~1200 ℃
ㆍ Capacity : 45 X 2 inch, 12 X 4 inch, 5 X 6 inch, 3 X 8 inch
ㆍ Sources : TMGa, TMAl, TMIn, Cp2Mg
ㆍ Hydride : NH3, 200ppmSiH4/H2
공정성능(Process Specification)
ㆍ undoped GaN
- As grown : ~ 2,000 Ohm/sq
- 고저항 특성 > 10만 Ohm/sq
- background doping : -9E15 /cm3
ㆍ GaN, InGaN, AlGaN 성장 및 도핑 (Mg, Si)
활용분야(Application)
ㆍ GaN-based semiconductor materials for optical and electronic devices
ㆍ GaN-based semiconductor materials for sensor
