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소자기술

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기술소개 : 기술명, 요약, 결과, 사진, 기술적가치, 활동분야, 기술관련문의로 구성
기술명 AlGaN/GaN 기반 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 소자 제조 기술
요약 ㆍ AlGaN/GaN HEMT 는 wide bandgap 인 AlGaN, GaN 층을 이종 접합하여 그 사이에 자연적으로 발생하는 2-DEG를 채널층으로 하는 트랜지스터 소자임
결과
사진

< GaN 기반 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 소개 >
AlGaN/GaN HEMT 는 wide bandgap 인 AlGaN, GaN 층을 이종 접합하여 그 사이에 자연적으로 발생하는 2-DEG를 채널층으로 하는 트랜지스터 소자임

< 주요 단위 공정 >

  • Isolation : BCl3/Cl2 based ICP etch, Ar+ implantation
  • GaN ohmic contact : Ti/Al-based metal scheme, rapid thermal annealing (under 1000 ℃)
  • GaN schottky contact : X/Au-based metal scheme
  • Passivation : SiNx, SiO2, etc.
     

< 소자 특성 >

  • 1x50 um AlGaN/GaN HEMT device (LG = 2 um, LSD = 8 um)

1x50 um AlGaN/GaN HEMT device (LG = 2 um, LSD = 8 um)

  • 16-mm AlGaN/GaN HEMT (LG = 2 um, LSD = 15 um)

16-mm AlGaN/GaN HEMT (LG = 2 um, LSD = 15 um)
 
기술적가치
활동분야 ㆍ 600 V 급 전력 스위치
ㆍ S/X-band RF 전력 증폭기
ㆍ 고감도 센서
기술관련문의 ㆍ 전자소자개발실 고유민 선임 (031-546-6317, yumin.koh@kanc.re.kr)
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