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에피기술

기술소개 : 기술명, 요약, 결과, 사진, 기술적가치, 활동분야, 기술관련문의로 구성
기술명 III-V(-Arsenide, -Phosphide) 에피성장 기술
요약 III-V on GaAs, III-V on Ge, III-V on InP, III-V on Si 에피성장 기술 소개
결과
사진

에피성장물질 III-Vs(As,P) 활용 분야

에피성장 물징 InGaAs channel RF HEMT EPI on InP - 2~4 inches 활용 분야

에피성장물질 Selectively grown In(Ga)As nanowires EPI on InP, Ge - 2inches 활용 분야

에피성장물질 InGaAs multi-channel MOSFET EPI on InP - 2~4 inches 활용 분야

에피성장물질 InGaAs MOSFET on InP(001) 활용 분야

에피성장물질 GaAs solar cell EPI on GaAs, Ge, Si - 4~6 inches 활용분야

에피성장물질 Zn-diffused InP Epi-wafer -2~4 inches 활용 분야

에피성장물질 Process capability : Wafer diameters 활용 분야

기술적가치 광소자 및 전자소자 등 고 부가가치 소자 구현을 위한 필수 기술
활동분야
기술관련문의 ㆍ 소자기술개발본부 송근만 책임 (031-546-6328, keunman.song@kanc.re.kr)