• 자동측정용 표준시료 설계
  2차원 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조를 3차원으로 확대시킨 FinFET 구조로 변경되는 등 고 집적화된 3차원 적층 통합구조의 3D 형상 측정 및 평가 장비/시스템 개발을 위해서는 50 nm 이하의 선폭 및 고 종횡비의 표준시료 제작 기술이 필수적임.
• FinFET 구조 및 고 종횡비 나노소자의 측정을 평가할 수 있는 다양한 표준시료의 제작 시스템을 구축하였음.

FinFET 구조의 표준시료                                  고 종횡비 3차원 구조의 표준시료
                       
선폭 : 45 nm, 높이 : 162 nm (종횡비 : 3.6)         선폭 : 25 nm, 높이 : 227 nm (종횡비 : 9.1)
 

• 인라인 3D-AFM용 자동측정이 가능한 다양한 나노소자를 평가할 수 있는 표준시료 설계 및 제작을 지원하고자 함.
  ⇒ 광학현미경으로 확인이 가능한 자동측정 위치확인용 Mark와 Line 위치 지정용 마크를 제작하여 표준시료 설계 및 제작을 지원하고자 함.

자동측정용 표준시료 설계                              Wafer 크기의 자동측정용 표준시료